Справочник MOSFET. WMO175N10LG4

 

WMO175N10LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO175N10LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This DSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

 5.1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK4091-ZK-E2-AY | VSE002N03MS-G | OSG65R420AF | 2SK3430-ZJ | DMT3006LPS | 12N80G-TF1-T | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.