WMO175N10LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO175N10LG4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 67.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22.5 nC
Время нарастания (tr): 3.6 ns
Выходная емкость (Cd): 154 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO175N10LG4
WMO175N10LG4 Datasheet (PDF)
wmo175n10lg4.pdf
WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This DSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =
wmo175n10hg4.pdf
WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
