Справочник MOSFET. WMO175N10LG4

 

WMO175N10LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO175N10LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO175N10LG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This DSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

 5.1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Другие MOSFET... WMO13P06T1 , WMO13P10TS , WMO140NV6LG4 , WMO15N10T1 , WMO15N12TS , WMO15N15T1 , WMO15N25T2 , WMO175N10HG4 , IRF1405 , WMO18N20T2 , WMO18P10TS , WMO190N03TS , WMO190N15HG4 , WMO20N15T2 , WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 .

History: VBZM8N60 | SSF53A0E | SSP65R080SFD3

 

 
Back to Top

 


 
.