WMO190N03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO190N03TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 100 nC
Tiempo de subida (tr): 13.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 585 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO190N03TS
WMO190N03TS Datasheet (PDF)
wmo190n03ts.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance.SGFeatures TO-252 V = 30V, I = 190A DS DR
wmo190n15hg4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .