WMO190N03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO190N03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 585 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de WMO190N03TS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMO190N03TS datasheet

 ..1. Size:631K  way-on
 wmo190n03ts.pdf pdf_icon

WMO190N03TS

WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 30V, I = 190A DS D R

 7.1. Size:613K  way-on
 wmo190n15hg4.pdf pdf_icon

WMO190N03TS

WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 150V, I =

Otros transistores... WMO15N10T1, WMO15N12TS, WMO15N15T1, WMO15N25T2, WMO175N10HG4, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, IRFB7545, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1, WMO25P03TS