Справочник MOSFET. WMO190N03TS

 

WMO190N03TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO190N03TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO190N03TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO190N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  way-on
 wmo190n03ts.pdf pdf_icon

WMO190N03TS

WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance.SGFeatures TO-252 V = 30V, I = 190A DS DR

 7.1. Size:613K  way-on
 wmo190n15hg4.pdf pdf_icon

WMO190N03TS

WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =

Другие MOSFET... WMO15N10T1 , WMO15N12TS , WMO15N15T1 , WMO15N25T2 , WMO175N10HG4 , WMO175N10LG4 , WMO18N20T2 , WMO18P10TS , 8N60 , WMO190N15HG4 , WMO20N15T2 , WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS .

History: WMM80R260S | FQB5N60CTM_WS | KIA18N50H-220F | IPD70R600CE | MMFTN3018W | RUH1H138S | NCEP3045GU

 

 
Back to Top

 


 
.