WMO190N15HG4 Todos los transistores

 

WMO190N15HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO190N15HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO190N15HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  way-on
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WMO190N15HG4

WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =

 7.1. Size:631K  way-on
 wmo190n03ts.pdf pdf_icon

WMO190N15HG4

WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance.SGFeatures TO-252 V = 30V, I = 190A DS DR

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History: SSM5N03FE | SJMN600R70MD | NCEP2390D | DMG6898LSD | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
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