WMO190N15HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO190N15HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO190N15HG4 datasheet

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WMO190N15HG4

WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 150V, I =

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WMO190N15HG4

WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 30V, I = 190A DS D R

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