WMO190N15HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO190N15HG4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 121.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24.8 nC
Время нарастания (tr): 5.2 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0195 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO190N15HG4
WMO190N15HG4 Datasheet (PDF)
wmo190n15hg4.pdf
WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =
wmo190n03ts.pdf
WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance.SGFeatures TO-252 V = 30V, I = 190A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HGB210N20S
