WMO190N15HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO190N15HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO190N15HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO190N15HG4 даташит

 ..1. Size:613K  way-on
 wmo190n15hg4.pdf pdf_icon

WMO190N15HG4

WMO190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 150V, I =

 7.1. Size:631K  way-on
 wmo190n03ts.pdf pdf_icon

WMO190N15HG4

WMO190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 30V, I = 190A DS D R

Другие IGBT... WMO15N12TS, WMO15N15T1, WMO15N25T2, WMO175N10HG4, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, WMO190N03TS, AON7403, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1, WMO25P03TS, WMO25P04TS