WMO20P04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO20P04T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 27.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 7.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 87 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO20P04T1
WMO20P04T1 Datasheet (PDF)
wmo20p04t1.pdf
WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features DS V = -40V, I = -20A DS DGR
wmo20p15ts.pdf
WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = -150V, I = -20A DS DR
wmo20n15t2.pdf
WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 150V, I = 20A DS DTO-252R
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