WMO20P04T1 Todos los transistores

 

WMO20P04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO20P04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO20P04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  way-on
 wmo20p04t1.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features DS V = -40V, I = -20A DS DGR

 8.1. Size:649K  way-on
 wmo20p15ts.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = -150V, I = -20A DS DR

 9.1. Size:416K  way-on
 wmo20n15t2.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 150V, I = 20A DS DTO-252R

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History: NTS4172NT1G | FDN371N | SWD5N65K | NDT12P20 | SNN3100L15Q | SIA465EDJ

 

 
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