WMO20P04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO20P04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO20P04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO20P04T1 даташит

 ..1. Size:600K  way-on
 wmo20p04t1.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features D S V = -40V, I = -20A DS D G R

 8.1. Size:649K  way-on
 wmo20p15ts.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = -150V, I = -20A DS D R

 9.1. Size:416K  way-on
 wmo20n15t2.pdf pdf_icon

WMO20P04T1

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 150V, I = 20A DS D TO-252 R

Другие IGBT... WMO15N25T2, WMO175N10HG4, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, EMB04N03H, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1, WMO25P03TS, WMO25P04TS, WMO25P06T1, WMO28N15T2