Справочник MOSFET. WMO20P04T1

 

WMO20P04T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO20P04T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO20P04T1

 

 

WMO20P04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  way-on
 wmo20p04t1.pdf

WMO20P04T1 WMO20P04T1

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features DS V = -40V, I = -20A DS DGR

 8.1. Size:649K  way-on
 wmo20p15ts.pdf

WMO20P04T1 WMO20P04T1

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = -150V, I = -20A DS DR

 9.1. Size:416K  way-on
 wmo20n15t2.pdf

WMO20P04T1 WMO20P04T1

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 150V, I = 20A DS DTO-252R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top