WMO240N10LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO240N10LG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO240N10LG2 datasheet

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WMO240N10LG2

WMO240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 100V, I =

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