WMO240N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO240N10LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 56.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 15.8 nC
Tiempo de subida (tr): 3.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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WMO240N10LG2 Datasheet (PDF)
..1. Size:656K way-on
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WMO240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =
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