Справочник MOSFET. WMO240N10LG2

 

WMO240N10LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO240N10LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO240N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  way-on
 wmo240n10lg2.pdf pdf_icon

WMO240N10LG2

WMO240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS7N65A4R | TTD50P04AT | MRF1507T1 | 12N65KL-TQ2-R | AM30N06-65DA | PSMN9R0-30YL | RJK0212DPA

 

 
Back to Top

 


 
.