Справочник MOSFET. WMO240N10LG2

 

WMO240N10LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO240N10LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO240N10LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO240N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  way-on
 wmo240n10lg2.pdf pdf_icon

WMO240N10LG2

WMO240N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO240N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Другие MOSFET... WMO175N10LG4 , WMO18N20T2 , WMO18P10TS , WMO190N03TS , WMO190N15HG4 , WMO20N15T2 , WMO20P04T1 , WMO20P15TS , 2N7002 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 .

History: IPD640N06L | WMO20P15TS | IRLML2060TR | WMO190N15HG4 | SJMN600R70MD | IRF630P

 

 
Back to Top

 


 
.