WMO2N100D1 Todos los transistores

 

WMO2N100D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO2N100D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO2N100D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  way-on
 wmo2n100d1 wmaa2n100d1.pdf pdf_icon

WMO2N100D1

WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-251-L9.4 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. D G S G Features D S V =1050V

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History: 2SK963 | RU4H10R | SWF4N70D1 | NCEP090N20 | KNH3306A | IPI70N04S3-07 | IRFB4332

 

 
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