Справочник MOSFET. WMO2N100D1

 

WMO2N100D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO2N100D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO2N100D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO2N100D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  way-on
 wmo2n100d1 wmaa2n100d1.pdf pdf_icon

WMO2N100D1

WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-251-L9.4 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. D G S G Features D S V =1050V

Другие MOSFET... WMO20P15TS , WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , IRFZ44N , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 .

History: DMG3401LSN | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH

 

 
Back to Top

 


 
.