WMO2N100D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO2N100D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO2N100D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO2N100D1 даташит

 ..1. Size:1190K  way-on
 wmo2n100d1 wmaa2n100d1.pdf pdf_icon

WMO2N100D1

WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-251-L9.4 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. D G S G Features D S V =1050V

Другие IGBT... WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1, WMO25P03TS, WMO25P04TS, WMO25P06T1, WMO28N15T2, IRFZ44N, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1