WMO30P03TS Todos los transistores

 

WMO30P03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO30P03TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO30P03TS datasheet

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WMO30P03TS

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S V = -30V, I = -30A G DS D TO-252 R

 8.1. Size:989K  way-on
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WMO30P03TS

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G TO-252 V = -100V, I = -35A DS D R

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History: 2SK1855 | WMO25P04TS

 

 
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