WMO30P03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO30P03TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WMO30P03TS MOSFET
WMO30P03TS Datasheet (PDF)
wmo30p03ts.pdf

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R
wmo30p10ts.pdf

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR
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History: JFFC10N65D | FQA8N90C-F109 | NCE3008XM | BRM501D | STB12NM60N | WML80R1K0S | R6520KNZ
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Liste
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