WMO30P03TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMO30P03TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO30P03TS
WMO30P03TS Datasheet (PDF)
wmo30p03ts.pdf

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R
wmo30p10ts.pdf

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR
Другие MOSFET... WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , IRF740 , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , WMO55N03T1 .
History: SM140R50CT2TL | DMN2004WK | APT30M36LFLL | AP0803GMT-A-HF | SM180R65CT2TL | 2SK2221
History: SM140R50CT2TL | DMN2004WK | APT30M36LFLL | AP0803GMT-A-HF | SM180R65CT2TL | 2SK2221



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor