WMO40N04TS Todos los transistores

 

WMO40N04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO40N04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO40N04TS Datasheet (PDF)

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WMO40N04TS

WMO40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO40N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 40V, I = 40A DS DR

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History: SJMN60R38F | IRFB4215PBF | SSF80R240SFD

 

 
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