WMO40N04TS - аналоги и даташиты транзистора

 

WMO40N04TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMO40N04TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO40N04TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO40N04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  way-on
 wmo40n04ts.pdf pdf_icon

WMO40N04TS

WMO40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO40N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 40V, I = 40A DS DR

Другие MOSFET... WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , 50N06 , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , WMO55N03T1 , WMO5N50D1B , WMO60N02T1 , WMO60N04T1 , WMO60P02TS , WMO60P03TS .

History: KP8M10 | SI4451DY

 

 
Back to Top

 


 
.