WMO40N04TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO40N04TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO40N04TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO40N04TS даташит

 ..1. Size:988K  way-on
 wmo40n04ts.pdf pdf_icon

WMO40N04TS

WMO40N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO40N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 40V, I = 40A DS D R

Другие IGBT... WMO28N15T2, WMO2N100D1, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, 50N06, WMO50P03T1, WMO50P04T1, WMO55N03T1, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS