WMO50P04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO50P04T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 282 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO50P04T1
WMO50P04T1 Datasheet (PDF)
wmo50p04t1.pdf
WMO50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = -40V, I = -50A DS DTO-252R
wmo50p03t1.pdf
WMO50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -30V, I = -50A DS DR
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