WMO50P04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO50P04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO50P04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO50P04T1 даташит

 ..1. Size:612K  way-on
 wmo50p04t1.pdf pdf_icon

WMO50P04T1

WMO50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = -40V, I = -50A DS D TO-252 R

 7.1. Size:611K  way-on
 wmo50p03t1.pdf pdf_icon

WMO50P04T1

WMO50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G TO-252 V = -30V, I = -50A DS D R

Другие IGBT... WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1, IRFZ44, WMO55N03T1, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, WMO690N15HG2, WMO6N80D1