WMO55N03T1 Todos los transistores

 

WMO55N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO55N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO55N03T1 datasheet

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WMO55N03T1

WMO55N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description WMO55N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 30V, I =55A DS D R

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