WMO55N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO55N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO55N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO55N03T1 даташит

 ..1. Size:613K  way-on
 wmo55n03t1.pdf pdf_icon

WMO55N03T1

WMO55N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description WMO55N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 30V, I =55A DS D R

Другие IGBT... WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1, WMO50P04T1, IRF640, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, WMO690N15HG2, WMO6N80D1, WML6N80D1