Справочник MOSFET. WMO55N03T1

 

WMO55N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO55N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO55N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO55N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  way-on
 wmo55n03t1.pdf pdf_icon

WMO55N03T1

WMO55N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionWMO55N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 30V, I =55A DS DR

Другие MOSFET... WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , IRFP460 , WMO5N50D1B , WMO60N02T1 , WMO60N04T1 , WMO60P02TS , WMO60P03TS , WMO690N15HG2 , WMO6N80D1 , WML6N80D1 .

History: NCEP045N10 | SRT15N075HS2

 

 
Back to Top

 


 
.