WMO5N50D1B Todos los transistores

 

WMO5N50D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO5N50D1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO5N50D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  way-on
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WMO5N50D1B

WMO5N50D1B 500V 5A 1.35 N-ch Power MOSFET Description TO-252 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density D G and high efficiency. And it is very robust S and RoHS compliant. Features Typ.R =1.35@V =10V DS(on) GS 100% avalan

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History: ME7805S | AUIRFP2907Z | WMO60N04T1 | SI4511DY | PI5101-00-LGIZ | NCE3040Q | NCE3008Y

 

 
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