Справочник MOSFET. WMO5N50D1B

 

WMO5N50D1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO5N50D1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO5N50D1B

 

 

WMO5N50D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  way-on
 wmo5n50d1b.pdf

WMO5N50D1B WMO5N50D1B

WMO5N50D1B 500V 5A 1.35 N-ch Power MOSFET Description TO-252 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density D G and high efficiency. And it is very robust S and RoHS compliant. Features Typ.R =1.35@V =10V DS(on) GS 100% avalan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top