WMO5N50D1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO5N50D1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO5N50D1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO5N50D1B даташит

 ..1. Size:1212K  way-on
 wmo5n50d1b.pdf pdf_icon

WMO5N50D1B

WMO5N50D1B 500V 5A 1.35 N-ch Power MOSFET Description TO-252 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density D G and high efficiency. And it is very robust S and RoHS compliant. Features Typ.R =1.35 @V =10V DS(on) GS 100% avalan

Другие IGBT... WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1, WMO50P04T1, WMO55N03T1, IRF1404, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, WMO690N15HG2, WMO6N80D1, WML6N80D1, WMO75N04T1