WMO690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMO690N15HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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WMO690N15HG2 Datasheet (PDF)

..1. Size:978K way-on
wmo690n15hg2.pdf

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =2

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