WMO690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMO690N15HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 56.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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WMO690N15HG2 Datasheet (PDF)

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wmo690n15hg2.pdf

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =2

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Liste

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