WMO690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO690N15HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WMO690N15HG2 MOSFET
WMO690N15HG2 Datasheet (PDF)
wmo690n15hg2.pdf

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =2
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History: SI12N60 | CRTD084NE6N | WM02DH08T | SI1304BDL | FDD2572F085 | 2SK987
History: SI12N60 | CRTD084NE6N | WM02DH08T | SI1304BDL | FDD2572F085 | 2SK987



Liste
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