Справочник MOSFET. WMO690N15HG2

 

WMO690N15HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO690N15HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO690N15HG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO690N15HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  way-on
 wmo690n15hg2.pdf pdf_icon

WMO690N15HG2

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =2

Другие MOSFET... WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , WMO55N03T1 , WMO5N50D1B , WMO60N02T1 , WMO60N04T1 , WMO60P02TS , WMO60P03TS , IRF3710 , WMO6N80D1 , WML6N80D1 , WMO75N04T1 , WMO80N03T1 , WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.