Справочник MOSFET. WMO690N15HG2

 

WMO690N15HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO690N15HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.8 nC
   Время нарастания (tr): 3.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 45.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO690N15HG2

 

 

WMO690N15HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  way-on
 wmo690n15hg2.pdf

WMO690N15HG2 WMO690N15HG2

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 150V, I =2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top