WMO690N15HG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO690N15HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO690N15HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO690N15HG2 даташит

 ..1. Size:978K  way-on
 wmo690n15hg2.pdf pdf_icon

WMO690N15HG2

WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the D on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 150V, I =2

Другие IGBT... WMO50P03T1, WMO50P04T1, WMO55N03T1, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, AO3400, WMO6N80D1, WML6N80D1, WMO75N04T1, WMO80N03T1, WMO80N06TS, WMO80N08TS, WMO80P04TS, WMO90N02T1