WMO6N80D1 Todos los transistores

 

WMO6N80D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO6N80D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO6N80D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1168K  way-on
 wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf pdf_icon

WMO6N80D1

WMO6N80D1 WML6N80D1800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGGrobust and RoHS compliant.DSSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100%

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History: STC4301D | SM4850NSK | TK70J04K3Z | SM4834NSK | WMO75N04T1 | SDFC30JAB | SM6A23NSF

 

 
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