WMO6N80D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO6N80D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Encapsulados: TO252
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WMO6N80D1 datasheet
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf
WMO6N80D1 WML6N80D1 800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFET Description TO-220F TO-252 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction TAB in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very D G G robust and RoHS compliant. D S S Features Typ.R =2.5 @V =10V DS(on) GS 100%
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