WMO6N80D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO6N80D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 27.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 118 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO6N80D1
WMO6N80D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1168K way-on
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf
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WMO6N80D1 WML6N80D1800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGGrobust and RoHS compliant.DSSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100%
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
