WMO6N80D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO6N80D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO6N80D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO6N80D1 даташит

 ..1. Size:1168K  way-on
 wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf pdf_icon

WMO6N80D1

WMO6N80D1 WML6N80D1 800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFET Description TO-220F TO-252 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction TAB in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very D G G robust and RoHS compliant. D S S Features Typ.R =2.5 @V =10V DS(on) GS 100%

Другие IGBT... WMO50P04T1, WMO55N03T1, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, WMO690N15HG2, IRFB4227, WML6N80D1, WMO75N04T1, WMO80N03T1, WMO80N06TS, WMO80N08TS, WMO80P04TS, WMO90N02T1, WMO90P03TS