WMO6N80D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO6N80D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27.6 ns
Выходная емкость (Cd): 118 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
WMO6N80D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1168K way-on
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf
WMO6N80D1 WML6N80D1800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGGrobust and RoHS compliant.DSSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100%
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
