WMO75N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMO75N04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO75N04T1

WMO75N04T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:635K way-on
wmo75n04t1.pdf

WMO75N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO75N04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 40V, I = 75A DS DTO-252R

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