WMO75N04T1 Todos los transistores

 

WMO75N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO75N04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMO75N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  way-on
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WMO75N04T1

WMO75N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO75N04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 40V, I = 75A DS DTO-252R

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MS15N50 | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | IPB15N03L | BLF7G24LS-100 | CS10J60A4-G

 

 
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