WMO75N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO75N04T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WMO75N04T1 MOSFET
WMO75N04T1 Datasheet (PDF)
wmo75n04t1.pdf
WMO75N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO75N04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 40V, I = 75A DS DTO-252R
Otros transistores... WMO5N50D1B , WMO60N02T1 , WMO60N04T1 , WMO60P02TS , WMO60P03TS , WMO690N15HG2 , WMO6N80D1 , WML6N80D1 , 10N60 , WMO80N03T1 , WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS .
History: XP162A12A6PR-G | 2SK2645 | KP103M
History: XP162A12A6PR-G | 2SK2645 | KP103M
Liste
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