WMO75N04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO75N04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO75N04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO75N04T1 даташит

 ..1. Size:635K  way-on
 wmo75n04t1.pdf pdf_icon

WMO75N04T1

WMO75N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO75N04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 40V, I = 75A DS D TO-252 R

Другие IGBT... WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1, WMO60P02TS, WMO60P03TS, WMO690N15HG2, WMO6N80D1, WML6N80D1, 10N60, WMO80N03T1, WMO80N06TS, WMO80N08TS, WMO80P04TS, WMO90N02T1, WMO90P03TS, WMO90P04TS, WMO95P06TS