WMO95P06TS Todos los transistores

 

WMO95P06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO95P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 93 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO95P06TS Datasheet (PDF)

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WMO95P06TS

WMO95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = -60V, I = -93A DS DTO-252R

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History: MTB20N04J3 | SSM9971 | SRT15N750LD | SRT045N025H | IRFB23N20D | TK8A65W | WMO80N08TS

 

 
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