WMO95P06TS - описание и поиск аналогов

 

WMO95P06TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO95P06TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO95P06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO95P06TS даташит

 ..1. Size:604K  way-on
 wmo95p06ts.pdf pdf_icon

WMO95P06TS

WMO95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G V = -60V, I = -93A DS D TO-252 R

Другие MOSFET... WMO75N04T1 , WMO80N03T1 , WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , IRF630 , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.