WMO95P06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO95P06TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 93 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58.4 nC
Время нарастания (tr): 3.3 ns
Выходная емкость (Cd): 660 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO95P06TS
WMO95P06TS Datasheet (PDF)
..1. Size:604K way-on
wmo95p06ts.pdf
wmo95p06ts.pdf
WMO95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = -60V, I = -93A DS DTO-252R
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
