WMO95P06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMO95P06TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WMO95P06TS Datasheet (PDF)
wmo95p06ts.pdf

WMO95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = -60V, I = -93A DS DTO-252R
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IXTT240N15X4HV | ZVN4424C | TPCA8022-H | CS6N80A8 | IRF3707SPBF | SSM9980M | VBA2311
History: IXTT240N15X4HV | ZVN4424C | TPCA8022-H | CS6N80A8 | IRF3707SPBF | SSM9980M | VBA2311



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733