WMO9N65D1 Todos los transistores

 

WMO9N65D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO9N65D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMO9N65D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1203K  way-on
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WMO9N65D1

WMO9N65D1650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerDGdensity and high efficiency. And it is verySrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =0.85@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

 9.1. Size:1621K  way-on
 wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf pdf_icon

WMO9N65D1

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

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History: HAF2012L | AP9578GM | NCEAP40T13AGU | NCE0103M | 2N7262 | IPB60R330P6

 

 
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