WMO9N65D1 - описание и поиск аналогов

 

WMO9N65D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO9N65D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO9N65D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO9N65D1 даташит

 ..1. Size:1203K  way-on
 wmo9n65d1.pdf pdf_icon

WMO9N65D1

WMO9N65D1 650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFET Description TO-252 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power D G density and high efficiency. And it is very S robust and RoHS compliant. Features Typ.R =0.85 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

 9.1. Size:1621K  way-on
 wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf pdf_icon

WMO9N65D1

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

Другие MOSFET... WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , AON7408 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 .

History: IXFT26N60Q | IRF3205LPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.