Справочник MOSFET. WMO9N65D1

 

WMO9N65D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO9N65D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO9N65D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO9N65D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1203K  way-on
 wmo9n65d1.pdf pdf_icon

WMO9N65D1

WMO9N65D1650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerDGdensity and high efficiency. And it is verySrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =0.85@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

 9.1. Size:1621K  way-on
 wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf pdf_icon

WMO9N65D1

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

Другие MOSFET... WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , 2N7000 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 .

History: IRF7326D2PBF | SJMN600R70MD | NCEP2390D | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.