WMQ020N03LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ020N03LG4
   Código: 020N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1090 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ020N03LG4

WMQ020N03LG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:620K way-on
wmq020n03lg4.pdf

WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8Lswitching a

9.1. Size:656K way-on
wmq023n03lg2.pdf

WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DDDD DWMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

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Liste

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