Справочник MOSFET. WMQ020N03LG4

 

WMQ020N03LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ020N03LG4
   Маркировка: 020N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ020N03LG4

 

 

WMQ020N03LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  way-on
 wmq020n03lg4.pdf

WMQ020N03LG4 WMQ020N03LG4

WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8Lswitching a

 9.1. Size:656K  way-on
 wmq023n03lg2.pdf

WMQ020N03LG4 WMQ020N03LG4

WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DDDD DWMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top