Справочник MOSFET. WMQ020N03LG4

 

WMQ020N03LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ020N03LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ020N03LG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ020N03LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  way-on
 wmq020n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ020N03LG4

WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8Lswitching a

 9.1. Size:656K  way-on
 wmq023n03lg2.pdf pdf_icon

WMQ020N03LG4

WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DDDD DWMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

Другие MOSFET... WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , 12N60 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 .

History: BUZ354 | IPB120N08S4-04 | NDF02N60Z | 2SJ167 | TMAN20N60 | RF1S9540 | FDMS8672S

 

 
Back to Top

 


 
.