WMQ023N03LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ023N03LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1480 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ023N03LG2 datasheet
wmq023n03lg2.pdf
WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD
wmq020n03lg4.pdf
WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8L switching a
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History: IXFT26N60Q | IRF3205LPBF
History: IXFT26N60Q | IRF3205LPBF
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