WMQ023N03LG2 Todos los transistores

 

WMQ023N03LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ023N03LG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ023N03LG2 datasheet

 ..1. Size:656K  way-on
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WMQ023N03LG2

WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

 9.1. Size:620K  way-on
wmq020n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ023N03LG2

WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8L switching a

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History: IXFT26N60Q | IRF3205LPBF

 

 

 


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