WMQ023N03LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ023N03LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ023N03LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ023N03LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ023N03LG2 даташит

 ..1. Size:656K  way-on
 wmq023n03lg2.pdf pdf_icon

WMQ023N03LG2

WMQ023N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

 9.1. Size:620K  way-on
 wmq020n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ023N03LG2

WMQ020N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ020N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8L switching a

Другие MOSFET... WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , 2N7002 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.