WMQ032N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ032N04LG2
   Código: 032N04L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

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WMQ032N04LG2 Datasheet (PDF)

..1. Size:990K way-on
wmq032n04lg2.pdf

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDDDWMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

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Liste

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