WMQ032N04LG2 Todos los transistores

 

WMQ032N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ032N04LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ032N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  way-on
 wmq032n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ032N04LG2

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDDDWMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

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History: NTPF082N65S3F | IPP034N08N5 | SFG150N10KF | IPN80R1K2P7 | RD3L080SN | FDB86363-F085 | WPM3005

 

 
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