WMQ032N04LG2 Todos los transistores

 

WMQ032N04LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ032N04LG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ032N04LG2 datasheet

 ..1. Size:990K  way-on
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WMQ032N04LG2

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

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