WMQ032N04LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ032N04LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ032N04LG2 datasheet
wmq032n04lg2.pdf
WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
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