WMQ032N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ032N04LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
Búsqueda de reemplazo de WMQ032N04LG2 MOSFET
WMQ032N04LG2 Datasheet (PDF)
wmq032n04lg2.pdf
WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDDDWMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
Otros transistores... WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , IRF9540N , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 .
History: 3N75 | WNM07N60 | SM1A23NSV
History: 3N75 | WNM07N60 | SM1A23NSV
Liste
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