WMQ032N04LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ032N04LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ032N04LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ032N04LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ032N04LG2 даташит

 ..1. Size:990K  way-on
 wmq032n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ032N04LG2

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

Другие MOSFET... WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , IRF9540N , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.