Справочник MOSFET. WMQ032N04LG2

 

WMQ032N04LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ032N04LG2
   Маркировка: 032N04L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ032N04LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ032N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  way-on
 wmq032n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ032N04LG2

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDDDWMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

Другие MOSFET... WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , WMO96N03T1 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , IRF1010E , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 .

History: NP100P06PLG

 

 
Back to Top

 


 
.