WMQ050N03LG4 Todos los transistores

 

WMQ050N03LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ050N03LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 513 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMQ050N03LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  way-on
 wmq050n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ050N03LG4

WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDD DWMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching app

 6.1. Size:668K  way-on
 wmq050n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ050N03LG4

WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET Stechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GSSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TK16E60W | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | H04N65E | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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