Справочник MOSFET. WMQ050N03LG4

 

WMQ050N03LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ050N03LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 513 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ050N03LG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ050N03LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  way-on
 wmq050n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ050N03LG4

WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDD DWMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching app

 6.1. Size:668K  way-on
 wmq050n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ050N03LG4

WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET Stechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GSSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

Другие MOSFET... WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , SPP20N60C3 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS .

History: SI5N60L-TM3-T | IRLR9343 | STB40NS15 | KIA2808A-220 | SKS10N20 | XP151A13A0MR | IRF7701

 

 
Back to Top

 


 
.