WMQ050N04LG2 Todos los transistores

 

WMQ050N04LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ050N04LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 708 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMQ050N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  way-on
 wmq050n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET Stechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GSSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

 6.1. Size:981K  way-on
 wmq050n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDD DWMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching app

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History: AOD2910 | AP9402AGYT-HF | STD16NF25 | SSM6N29TU | AP9920GEO | APT20M120JCU3 | FQA6N90CF109

 

 
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