WMQ050N04LG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ050N04LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 708 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ050N04LG2 datasheet
wmq050n04lg2.pdf
WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S technology that has been especially tailored to minimize the on-state G S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
wmq050n03lg4.pdf
WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8L performance. This device is well suited for high efficiency fast switching app
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Liste
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