Справочник MOSFET. WMQ050N04LG2

 

WMQ050N04LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ050N04LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 708 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ050N04LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  way-on
 wmq050n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET Stechnology that has been especially tailored to minimize the on-state GSSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

 6.1. Size:981K  way-on
 wmq050n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDDDDD DWMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching app

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CS540A3 | BSC032N03SG | HSS6107 | BF964S | AFP2367S | SPD07N60C3 | STD70N02L

 

 
Back to Top

 


 
.