WMQ050N04LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ050N04LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ050N04LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 708 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ050N04LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ050N04LG2 даташит

 ..1. Size:668K  way-on
 wmq050n04lg2.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ050N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S technology that has been especially tailored to minimize the on-state G S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

 6.1. Size:981K  way-on
 wmq050n03lg4.pdf pdf_icon

WMQ050N04LG2

WMQ050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8L performance. This device is well suited for high efficiency fast switching app

Другие MOSFET... WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , IRFP260 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.