WMQ060N08LG2 Todos los transistores

 

WMQ060N08LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ060N08LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ060N08LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  way-on
 wmq060n08lg2.pdf pdf_icon

WMQ060N08LG2

WMQ060N08LG2 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ060N08LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SSGSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8LThis device is well suited for high efficiency fast switching app

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History: SI2347DS | IRFB31N20DPBF | WMM10N105C2 | BSC600N25NS3G | AP2317GN-HF | TK62J60W5 | IRFBC30ALPBF

 

 
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