WMQ060N08LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ060N08LG2
   Código: 060N08L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

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WMQ060N08LG2 Datasheet (PDF)

..1. Size:608K way-on
wmq060n08lg2.pdf

WMQ060N08LG2 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ060N08LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SSGSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8LThis device is well suited for high efficiency fast switching app

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