WMQ060N08LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ060N08LG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
- Selección de transistores por parámetros
WMQ060N08LG2 Datasheet (PDF)
wmq060n08lg2.pdf

WMQ060N08LG2 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ060N08LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SSGSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8LThis device is well suited for high efficiency fast switching app
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: H8205 | UPA1914 | STF34N65M5 | ALD1105SBL | AOCA35212E | IXTH280N055T | 2SK3886-01MR
History: H8205 | UPA1914 | STF34N65M5 | ALD1105SBL | AOCA35212E | IXTH280N055T | 2SK3886-01MR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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