WMQ060N08LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ060N08LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ060N08LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ060N08LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ060N08LG2 даташит

 ..1. Size:608K  way-on
 wmq060n08lg2.pdf pdf_icon

WMQ060N08LG2

WMQ060N08LG2 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D D D D D WMQ060N08LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench S G S S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S S G S on-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8L This device is well suited for high efficiency fast switching app

Другие MOSFET... WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , 4435 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.