Справочник MOSFET. WMQ060N08LG2

 

WMQ060N08LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ060N08LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ060N08LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ060N08LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  way-on
 wmq060n08lg2.pdf pdf_icon

WMQ060N08LG2

WMQ060N08LG2 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDDDD DWMQ060N08LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench SGSSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SSGSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8LThis device is well suited for high efficiency fast switching app

Другие MOSFET... WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , 2SK3568 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS .

History: PSMN2R2-40BS | RU5H5L | XP202A0003PR | GSM4134 | IRFR3518 | HRP85N08K | JCS24N50WH

 

 
Back to Top

 


 
.