WMQ10N10TS Todos los transistores

 

WMQ10N10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ10N10TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ10N10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  way-on
 wmq10n10ts.pdf pdf_icon

WMQ10N10TS

WMQ10N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ10N10TS uses advanced power trench technology that has DDDDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. SGSSSFeatures SGS V = 100V, I = 10A DS DPDFN3030-8LR

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History: TK30J25D | HM100N06F | AP9567GH | MSAFX50N20A | MTE050N15BRV8 | SI4410DY-T1 | AP2434GN3-HF

 

 
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