WMQ10N10TS - описание и поиск аналогов

 

WMQ10N10TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ10N10TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ10N10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ10N10TS даташит

 ..1. Size:630K  way-on
 wmq10n10ts.pdf pdf_icon

WMQ10N10TS

WMQ10N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ10N10TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. S G S S S Features S G S V = 100V, I = 10A DS D PDFN3030-8L R

Другие MOSFET... WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , 12N60 , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.