Справочник MOSFET. WMQ10N10TS

 

WMQ10N10TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ10N10TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ10N10TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ10N10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  way-on
 wmq10n10ts.pdf pdf_icon

WMQ10N10TS

WMQ10N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ10N10TS uses advanced power trench technology that has DDDDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. SGSSSFeatures SGS V = 100V, I = 10A DS DPDFN3030-8LR

Другие MOSFET... WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , 4N60 , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS .

 

 
Back to Top

 


 
.