Справочник MOSFET. WMQ10N10TS

 

WMQ10N10TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ10N10TS
   Маркировка: Q10N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ10N10TS

 

 

WMQ10N10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  way-on
 wmq10n10ts.pdf

WMQ10N10TS WMQ10N10TS

WMQ10N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ10N10TS uses advanced power trench technology that has DDDDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. SGSSSFeatures SGS V = 100V, I = 10A DS DPDFN3030-8LR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top