WMQ119N10LG2 Todos los transistores

 

WMQ119N10LG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMQ119N10LG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
 

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WMQ119N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  way-on
 wmq119n10lg2.pdf pdf_icon

WMQ119N10LG2

WMQ119N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ119N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching ap

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History: SNN1000L10D | KIA12N60H-220 | IRF5803D2 | SSF60R190S2E | HSCE6032 | FQPF17P06 | KIA18N50H-220F

 

 
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