Справочник MOSFET. WMQ119N10LG2

 

WMQ119N10LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ119N10LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ119N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  way-on
 wmq119n10lg2.pdf pdf_icon

WMQ119N10LG2

WMQ119N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ119N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching ap

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK1244 | SLD70R900S2 | WMN25N50C4 | IRFP7430PBF | R6524ENZ | 2SK1053 | ME95N03T-G

 

 
Back to Top

 


 
.