WMQ12P10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ12P10TS
Código: Q12P10S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ12P10TS
WMQ12P10TS Datasheet (PDF)
wmq12p10ts.pdf
WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -100V, I = -12A DS DR
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