WMQ12P10TS - описание и поиск аналогов

 

WMQ12P10TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ12P10TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ12P10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ12P10TS даташит

 ..1. Size:607K  way-on
 wmq12p10ts.pdf pdf_icon

WMQ12P10TS

WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -100V, I = -12A DS D R

Другие MOSFET... WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , IRF1010E , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.