Справочник MOSFET. WMQ12P10TS

 

WMQ12P10TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ12P10TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ12P10TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ12P10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  way-on
 wmq12p10ts.pdf pdf_icon

WMQ12P10TS

WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -100V, I = -12A DS DR

Другие MOSFET... WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , IRF530 , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS .

History: 2SK971 | RU7N65L | NCEP10N12AK | SSF6N70GM | IPL65R420E6 | NCEP026N10D | IRC830PBF

 

 
Back to Top

 


 
.