WMQ140DNV6LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ140DNV6LG4
   Código: 140DNV6L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ140DNV6LG4

WMQ140DNV6LG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:1038K way-on
wmq140dnv6lg4.pdf

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8.1. Size:982K way-on
wmq140nv6lg4.pdf

WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench GMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the sssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3

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Liste

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