WMQ140DNV6LG4 Todos los transistores

 

WMQ140DNV6LG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ140DNV6LG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ140DNV6LG4 datasheet

 ..1. Size:1038K  way-on
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WMQ140DNV6LG4

WMQ140DNV6LG4 65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 D1 D2 WMQ140DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 G2 G1 S2 G1 S2 G2 S1 This device is well suited for high efficiency fast swi

 8.1. Size:982K  way-on
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WMQ140DNV6LG4

WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench G MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the ss s ss G s on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3

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